Vui lòng xác nhận lựa chọn đơn vị tiền tệ của bạn:
Đô-la Mỹ Incoterms:FCA (Điểm vận chuyển) thuế quan, phí hải quan và thuế được thu tại thời điểm giao hàng. Vận chuyển miễn phí với hầu hết các đơn hàng qua $150 (USD)
Hình ảnh chỉ để tham khảo Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
Chia sẻ điều này
Không thể tạo ra liên kết tại thời điểm này. Vui lòng thử lại.
CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs
Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.
