Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IMZA65R083M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R083M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R083M1HXKS
Price: 7.93 USD
Availability: Discontinued

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-IMZA65R083M1HXKS

Số nhà sản xuất:

IMZA65R083M1HXKSA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Tuổi thọ:

NRND:

Không khuyến khích cho thiết kế mới.

Bảng dữ liệu:

IMZA65R083M1HXKSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IMZA65R083M1HXKSA1

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 52 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$7.93	$7.93
	$5.43	$54.30
	$4.38	$438.00
	$3.73	$1,790.40

Sản phẩm Tương tự

Nsx:

Infineon Technologies

Số nhà sản xuất:

IMZA65R075M2HXKSA1

Mô tả:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới: Mới từ nhà sản xuất này.

So sánh với Phần Hiện tại

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	26 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	111 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	5.7 V
Qg - Điện tích cực cổng:	19 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	104 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Đóng gói:	Tube
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Số lượng Kiện Gốc:	240
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Mã Bí danh:	IMZA65R083M1H SP005423798

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IMZA65R083M1HXKSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

Mã Tuân Thủ

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Phân loại nguồn gốc

Quốc gia xuất xứ:: Áo
Quốc gia lắp ráp:: Trung Quốc
Quốc gia phân phối:: Áo

Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.