Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

STDRIVEG600W

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STDRIVEG600W

Số nhà sản xuất:

STDRIVEG600W

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

Gate Drivers High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Tuổi thọ:

Đơn hàng đặc biệt từ nhà máy:

Nhận báo giá để kiểm tra giá hiện tại, tổng thời gian giao hàng và yêu cầu đặt hàng của nhà sản xuất.

Bảng dữ liệu:

STDRIVEG600W Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STDRIVEG600W

Sẵn có

Tồn kho:: Không Có sẵn

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Giá (USD)

Yêu cầu Báo giá

Sản phẩm Tương tự

Nsx:

STMicroelectronics

Số nhà sản xuất:

STDRIVEG600

Mô tả:

Gate Drivers High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

So sánh với Phần Hiện tại

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	Bộ điều hợp cổng
RoHS:
Sản phẩm:	Half-Bridge Drivers
Loại:	High-Side, Low-Side
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOIC-16
Số mạch điều khiển:	2 Driver
Số lượng đầu ra:	1 Output
Dòng đầu ra:	5.5 A, 6 A
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	4.75 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	20 V
Thời gian tăng:	7 ns
Thời gian giảm:	5 ns
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 125 C
Đóng gói:	Bulk
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Điện áp đầu ra:	520 V
Loại sản phẩm:	Gate Drivers
Số lượng Kiện Gốc:	1
Danh mục phụ:	PMIC - Power Management ICs
Công nghệ:	GaN

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

STDRIVEG600W Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-7-29 (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.