FFSP1065A

onsemi
863-FFSP1065A
FFSP1065A

Nsx:

Mô tả:
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 10A 650V

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về onsemi FFSP1065A

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
10 A
650 V
1.5 V
56 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
650 V
FFSP1065A
Tube
Nhãn hiệu: onsemi
Pd - Tiêu tán nguồn: 111 W
Loại sản phẩm: SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: Diodes & Rectifiers
Thương hiệu: EliteSiC
Đơn vị Khối lượng: 2 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Mã Tuân Thủ
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99
Phân loại nguồn gốc
Quốc gia xuất xứ:
Hàn Quốc
Quốc gia lắp ráp:
Trung Quốc
Quốc gia phân phối:
Hàn Quốc
Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

Silicon Carbide Schottky Diodes

onsemi Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. SiC Schottky Diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.  onsemi offers 650V and 1200V devices in a range of current and package options, ideal for next-generation power system designs.

Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Có hàng: 745

Tồn kho:
745 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
44 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$5.38 $5.38
$3.21 $32.10
$2.75 $275.00
$2.42 $1,210.00
$2.38 $2,380.00
$2.35 $5,875.00

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.