Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.

Kết quả: 20
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
APC-E SiC MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Bảng dữ liệu
288Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Bảng dữ liệu
300Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Bảng dữ liệu
300Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Bảng dữ liệu
300Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Bảng dữ liệu
300Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Bảng dữ liệu
300Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
Bảng dữ liệu
300Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Bảng dữ liệu
300Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E SiC MOSFETs 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Bảng dữ liệu
600Dự kiến 28/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
300Dự kiến 03/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC MOSFETs 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Bảng dữ liệu
300Dự kiến 03/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Bảng dữ liệu
300Dự kiến 27/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Bảng dữ liệu
300Dự kiến 27/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement

APC-E SiC MOSFETs 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300Dự kiến 01/05/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFETs 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
300Dự kiến 03/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V

APC-E SiC MOSFETs 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300Dự kiến 01/05/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFETs 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Bảng dữ liệu
300Dự kiến 27/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E SiC MOSFETs 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 15 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFETs 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 15 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFETs 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 15 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C