EMD4E001G Spin-Transfer Torque MRAM

Everspin Technologies EMD4E001G Spin-Transfer Torque Magnetic RAM (STT-MRAM) features 1Gb non-volatile ST-DDR4 MRAM with a 64Mb x 16 organization. These devices offer more effective management of I/O streams, allowing storage OEMs to significantly improve the quality of service of their products. The double data rate (DDR) architecture achieves high-speed operation and is an 8n prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. Other features include multipurpose register READ and WRITE capability, per-device addressability (PDA), and on-device termination. Everspin Technologies EMD4E001G is compatible with Xilinx FPGA controllers and offers a persistent data buffer in storage and fabric/software accelerators, computational storage, and other applications.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Đóng gói / Vỏ bọc Loại giao diện Kích thước bộ nhớ Tổ chức Thời gian truy cập Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu Điện áp cấp nguồn - Tối đa Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Đóng gói
Everspin Technologies MRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 29 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 2,000
Rulo cuốn: 2,000

FBGA-96 Parallel 1 Gbit 64 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 29 Tuần
Tối thiểu: 380
Nhiều: 190

FBGA-96 Parallel 1 Gbit 64 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C Tray