Điện trở mạch mắc rẽ dải kim loại nguồn WSBE
Điện trở mạch mắc rẽ dải kim loại nguồn WSBE của Vishay / Dale là điện trở mạch mắc rẽ với TCR thấp (xuống tới <±10ppm/°C) và giá trị điện trở rất thấp (xuống tới 15).μΩ Công suất cao của điện trở này cho phép cảm biến dòng đến 1825A. Điện trở WSBE có cấu trúc hàn toàn bộ, phần tử điện trở kháng hợp kim niken-chrome kim loại rắn, độ tự cảm rất thấp (<5nH) và EMF nhiệt thấp (thấp đến <1,25μV/°C). Điện trở mạch mắc rẽ dải kim loại nguồn WSBE của Vishay / Dale có khoảng nhiệt độ hoạt động từ -65°C đến +170°C và đạt chuẩn AEC-Q200.
