Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

QH12TZ600Q

Name: Power Integrations QH12TZ600Q
Brand: Power Integrations
SKU: 869-QH12TZ600Q
Price: 1.18 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

869-QH12TZ600Q

Số nhà sản xuất:

QH12TZ600Q

Nsx:

Power Integrations

Mô tả:

Rectifiers AEC-Q101 600V, 12A, Super-Low Qrr, Rectifier

Bảng dữ liệu:

QH12TZ600Q Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Power Integrations QH12TZ600Q

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Power Integrations
Danh mục Sản phẩm:	Bộ chỉnh lưu
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
If - Dòng thuận:	12 A
Loại:	Fast Recovery Rectifiers
Cấu hình:	Single
Ff - Điện áp thuận:	2.65 V
Dòng tăng tối đa:	350 A
Ir - Dòng ngược:	250 uA
Thời gian khôi phục:	11.6 ns
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Sê-ri:	Qspeed-H
Tiêu chuẩn:	AEC-Q101
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	Power Integrations
Sản phẩm:	Rectifiers
Loại sản phẩm:	Rectifiers
Số lượng Kiện Gốc:	50
Danh mục phụ:	Diodes & Rectifiers
Thương hiệu:	Qspeed

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

QH12TZ600Q Bảng dữ liệu (PDF)

COC-REACH (PDF)

Mã Tuân Thủ

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Phân loại nguồn gốc

Quốc gia xuất xứ:: Trung Quốc
Quốc gia lắp ráp:: Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:: Không Có sẵn

Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

600V Qspeed Silicon Diode

Power Integrations 600V Qspeed Silicon Diode is designed to replace SiC diodes for efficient performance in high switching frequency applications. The 0.35-micron technology of the Qspeed diode improves performance and gives predictable results. This diode features low Q_RR of any 600V silicon diode, low I_RRM, low t_RR, and soft recovery. The Qspeed silicon diode is AEC-Q1011 qualified, combines both a Schottky and PiN junction in the same device, and is ideal for automotive applications.