QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Pd - Tiêu tán nguồn
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz 46Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz, Flanged
100Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W