Kết quả: 5
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Cấu hình
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp đánh thủng cực cổng-cực nguồn
Dòng cực máng-cực nguồn ở Vgs=0
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Tiêu chuẩn
Đóng gói
onsemi JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO
Bảng dữ liệu
479Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO
Bảng dữ liệu
484Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO
Bảng dữ liệu
563Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 650V/25MOSICJFETG3TO2
Bảng dữ liệu
250Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO2
Bảng dữ liệu
464Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube