UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.

Kết quả: 5
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ Kiểu gắn Đóng gói / Vỏ bọc Cực tính transistor Cấu hình Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn Vgs - Điện áp đánh thủng cực cổng-cực nguồn Dòng cực máng-cực nguồn ở Vgs=0 Id - Dòng cực máng liên tục Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn Pd - Tiêu tán nguồn Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Sê-ri Tiêu chuẩn Đóng gói
onsemi JFETs 650V/25MOSICJFETG3TO247-3 649Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO247-3 604Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO247-3 563Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3 538Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3 516Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube