Kết quả: 25
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Tiêu chuẩn
Đóng gói


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Bảng dữ liệu
74Có hàng
1,000Dự kiến 21/12/2026
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Si D2PAK SMD/SMT Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGB40V60F Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
Bảng dữ liệu
2,158Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGD6M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Bảng dữ liệu
793Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Si SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd
Bảng dữ liệu
722Có hàng
2,000Dự kiến 31/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 30 W - 55 C + 175 C STGF15H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Bảng dữ liệu
866Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
Bảng dữ liệu
1,013Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGW30V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
Bảng dữ liệu
84Có hàng
600Dự kiến 15/06/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Bảng dữ liệu
866Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
Bảng dữ liệu
158Có hàng
600Dự kiến 24/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60F Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Bảng dữ liệu
911Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Bảng dữ liệu
402Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Bảng dữ liệu
84Có hàng
600Dự kiến 24/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Bảng dữ liệu
493Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Bảng dữ liệu
177Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20V60F Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
Bảng dữ liệu
1,677Dự kiến 10/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
Bảng dữ liệu
998Dự kiến 08/06/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60DF Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Bảng dữ liệu
280Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
Bảng dữ liệu
2,000Đang đặt hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGB30V60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics STGB20H65FB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 15 Tuần
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

- 20 V, 20 V Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 15 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
: 1,000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGP30H65DFB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 15 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000

- 20 V, 20 V Tube

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 435 V 1.1 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB25N40LZAG AEC-Q101 Reel, Cut Tape

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si - 20 V, 20 V STGWA30M65DF2 Tube