STY112N65M5

STMicroelectronics
511-STY112N65M5
STY112N65M5

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STY112N65M5

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
Max247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
96 A
19 mOhms
25 V
4 V
350 nC
- 55 C
+ 150 C
625 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Cấu hình: Single
Loại sản phẩm: MOSFETs
Sê-ri: Mdmesh M5
Số lượng Kiện Gốc: 600
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Đơn vị Khối lượng: 5 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Mã Tuân Thủ
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Phân loại nguồn gốc
Quốc gia xuất xứ:
Trung Quốc
Quốc gia lắp ráp:
Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:
Không Có sẵn
Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

MDmesh M5 Power MOSFETs

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding RDS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products offering greater energy savings, superior power density, and more compact applications.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

N-channel MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding RDS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products to offer greater energy savings, superior power density, and more compact applications. This new technology will help product designers tackle emerging challenges such as the high-efficiency targets of new eco-design directives, and will also benefit the renewable energy sector by saving vital watts normally lost in power-control modules. 

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 600   Nhiều: 600
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$27.62 $16,572.00

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có điều thắc mắc? Vui lòng truy cập Trung tâm trợ giúp của chúng tôi.
Đối với thắc mắc về đơn đặt hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn còn gặp trục trặc, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.