650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower VCE(sat)  combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.

Kết quả: 10
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Tiêu chuẩn
Đóng gói
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
Bảng dữ liệu
545Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
Bảng dữ liệu
490Có hàng
600Dự kiến 13/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
Bảng dữ liệu
983Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 100 A 300 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Bảng dữ liệu
594Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C HB2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
Bảng dữ liệu
690Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
Bảng dữ liệu
14Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V HB2 AEC-Q100 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Bảng dữ liệu
42Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Bảng dữ liệu
493Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C STGWA40IH65DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C HB2 Tube