Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 2.87 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

942-IRF100B201

Số nhà sản xuất:

IRF100B201

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Bảng dữ liệu:

IRF100B201 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IRF100B201

Có hàng: 18,592

Tồn kho:: 18,592 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$2.87	$2.87
	$1.84	$18.40
	$1.44	$144.00
	$1.40	$700.00
	$1.38	$1,380.00
	$1.35	$6,750.00
25,000	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-220-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	100 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	192 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	4.2 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2 V
Qg - Điện tích cực cổng:	170 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	441 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	StrongIRFET
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	100 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	278 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	97 ns
Số lượng Kiện Gốc:	1000
Danh mục phụ:	Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	110 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	17 ns
Đơn vị Khối lượng:	2 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IRF100B201 Bảng dữ liệu (PDF)

Models

Saber Model - IRF100B201 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

Mã Tuân Thủ

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Phân loại nguồn gốc

Quốc gia xuất xứ:: Malaysia
Quốc gia lắp ráp:: Trung Quốc
Quốc gia phân phối:: Malaysia

Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D²-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.