Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

CGHV50200F

Name: MACOM CGHV50200F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV50200F
Price: 1649.89 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

941-CGHV50200F

Số nhà sản xuất:

CGHV50200F

Nsx:

MACOM

Mô tả:

GaN FETs GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

Bảng dữ liệu:

CGHV50200F Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về MACOM CGHV50200F

Cảnh báo Vận chuyển:

Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 10 Nhiều: 10

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$1,649.89	$16,498.90

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	MACOM
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
Hạn chế Vận chuyển	Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.
RoHS:
Kiểu gắn:	Screw Mount
Đóng gói / Vỏ bọc:	4402015
Cực tính transistor:	N-Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	150 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	17 A
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	- 3.4 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Nhãn hiệu:	MACOM
Bộ công cụ phát triển:	CGHV50200F-AMP
Độ khuếch đại:	11.5 dB
Tần số làm việc tối đa:	5 GHz
Tần số làm việc tối thiểu:	4.4 GHz
Công suất đầu ra:	180 W
Đóng gói:	Tray
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Số lượng Kiện Gốc:	10
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN
Loại transistor:	GaN HEMT
Vgs - Điện áp đánh thủng cực cổng-cực nguồn:	- 10 V to 2 V

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

CGHV50200F Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: 3A001.b.3.a

CGHV50200F GaN HEMT

MACOM CGHV50200F 200W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is ideal for SatCom applications, such as troposcatter communications and beyond line-of-sight (BLOS). Thise GaN HEMT is matched to 50Ω for ease of use and is designed for continuous wave (CW), pulse, and linear modes of power amplifier operation. The device is supplied in a ceramic/metal flange type 440217 package and offers high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. MACOM CGHV50200F GaN HEMT delivers a higher breakdown voltage, higher temperature operation, higher efficiency, higher thermal conductivity, higher power density, and wider bandwidths than conventional silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) devices.