Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

MMFTP6312D

Name: Diotec Semiconductor MMFTP6312D
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP6312D
Price: 0.45 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

637-MMFTP6312D

Số nhà sản xuất:

MMFTP6312D

Nsx:

Diotec Semiconductor

Mô tả:

MOSFETs MOSFET, SOT-26, -20V, -2.3A, 150C, P

Bảng dữ liệu:

MMFTP6312D Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Diotec Semiconductor MMFTP6312D

Có hàng: 2,766

Tồn kho:: 2,766 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$0.45	$0.45
	$0.321	$3.21
	$0.224	$22.40
	$0.196	$98.00
	$0.183	$183.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.135	$405.00
	$0.10	$900.00
	$0.098	$2,352.00
	$0.075	$3,375.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Diotec Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOT-26-6
Cực tính transistor:	P-Channel
Số lượng kênh:	2 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	20 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	2.3 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	115 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	4.4 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	960 mW
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Diotec Semiconductor
Cấu hình:	Dual
Thời gian giảm:	8 ns
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	13 ns
Sê-ri:	MMFTN/P
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	18 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	8 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

MMFTP6312D Bảng dữ liệu (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET

Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET offers fast switching times in a SOT-26 (SOT-457) package. The MMFTP6312D MOSFET features a 20V maximum drain-source voltage, 0.70W to 0.96W maximum power dissipation range, and a 2.3A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.