Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

EVLSTDRIVEG610Q

Name: STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-EVLSTDRIVEG610Q
Price: 58.44 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-EVLSTDRIVEG610Q

Số nhà sản xuất:

EVLSTDRIVEG610Q

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

Power Management IC Development Tools Demonstration board STDRIVEG611 high volt high speed half-bridge gate driver GaN

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

EVLSTDRIVEG610Q Bảng dữ liệu (PDF)

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q

Có hàng: 31

Tồn kho:: 31 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1 Tối đa: 10

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$58.44	$58.44

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	Công cụ phát triển IC quản lý nguồn
RoHS:
Sản phẩm:	Evaluation Boards
Loại:	Gate Driver
Điện áp đầu vào:	9 V to 18 V
Dụng cụ để đánh giá về:	STDRIVEG610
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Kích thước:	70 mm x 56 mm
Đóng gói:	Bulk
Loại sản phẩm:	Power Management IC Development Tools
Số lượng Kiện Gốc:	1
Danh mục phụ:	Development Tools

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

EVLSTDRIVEG610Q Bảng dữ liệu (PDF)

USHTS:: 9023000000
TARIC:: 8473302000
ECCN:: EAR99

EVLSTDRIVEG610Q Evaluation Board

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q Evaluation Board is based on the STDRIVEG610 high-speed, half-bridge gate driver, which is optimized to drive high-voltage, enhanced-mode, GaN HEMTs. The STDRIVEG610 offers separated high current sink/source gate driving pins, integrated LDOs, bootstrap diode, undervoltage, high-side fast startup, overtemperature, fault and shutdown pins, and standby to support hard switching topologies in a 4mm x 5mm QFN package.