NTHL022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTHL022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are a family of 1200V M3S planar SiC MOSFETs optimized for fast switching applications. The onsemi NTHL022N120M3S features planar technology that works reliably with negative gate voltage drives and turns off spikes on the gate. The MOSFETs have optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive.

Kết quả: 3
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Thương hiệu

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1
Bảng dữ liệu
323Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1
Bảng dữ liệu
682Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1
Bảng dữ liệu
590Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC