Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NCV8406DD1CR2G

Name: onsemi NCV8406DD1CR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8406DD1CR2G
Price: 1.2 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NCV8406DD1CR2G

Số nhà sản xuất:

NCV8406DD1CR2G

Nsx:

onsemi

Mô tả:

MOSFETs AUTOMOTIVE SMARTFET

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

NCV8406DD1CR2G Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NCV8406DD1CR2G

Có hàng: 1,323

Tồn kho:: 1,323 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 13 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$1.20	$1.20
	$0.789	$7.89
	$0.654	$65.40
	$0.628	$314.00
	$0.606	$606.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
	$0.592	$1,480.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOIC-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	2 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	60 V
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	210 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 14 V, 14 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	1.2 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Dual
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	PH
Thời gian giảm:	692 ns
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	486 ns
Sê-ri:	NCV8406DD1CR2G
Số lượng Kiện Gốc:	2500
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	2-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	1600 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	127 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NCV8406DD1CR2G Bảng dữ liệu

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Bộ điều khiển bên thấp tự bảo vệ kép NCV8406DD

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.