Kết quả: 7
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 60A Field Stop Trench IGBT
Bảng dữ liệu
439Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Bảng dữ liệu
449Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Bảng dữ liệu
451Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Bảng dữ liệu
846Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Bảng dữ liệu
445Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Bảng dữ liệu
399Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Bảng dữ liệu
450Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube