STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.

Tất cả các kết quả (2)

Chọn một danh mục bên dưới để xem các lựa chọn bộ lọc và thu hẹp tìm kiếm của bạn.
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS
STMicroelectronics Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
1,000Dự kiến 25/02/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 3,000
STMicroelectronics STDRIVEG612Q
STMicroelectronics STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches Không Lưu kho
Tối thiểu: 4,900
Nhiều: 4,900