Kết quả: 20
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Bảng dữ liệu
2,258Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 24 W - 55 C + 175 C STGF5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Bảng dữ liệu
662Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Bảng dữ liệu
3,931Có hàng
1,000Dự kiến 09/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGP5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Bảng dữ liệu
1,139Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Bảng dữ liệu
612Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
Bảng dữ liệu
490Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Bảng dữ liệu
109Có hàng
1,200Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGW15H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Bảng dữ liệu
170Có hàng
3,600Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Bảng dữ liệu
434Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Bảng dữ liệu
911Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Bảng dữ liệu
84Có hàng
600Dự kiến 07/09/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
Bảng dữ liệu
597Dự kiến 27/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 357 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Bảng dữ liệu
493Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Bảng dữ liệu
4,882Dự kiến 29/06/2026
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 83 W - 55 C + 175 C STGD5H60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 15 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Bảng dữ liệu
600Dự kiến 27/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGWA15H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 15 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGB5H60DF Reel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 180 W - 55 C + 175 C Tube