Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.

Kết quả: 33
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kích thước bộ nhớ
Tổ chức
Thời gian truy cập
Loại giao diện
Điện áp cấp nguồn - Tối đa
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu
Dòng cấp nguồn - Tối đa
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Đóng gói
Alliance Memory SRAM 64M 3V 55ns Low Power 4048k x 16
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 12 Tuần
Tối thiểu: 1,500
Nhiều: 1,500
Rulo cuốn: 1,500

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 12 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
Alliance Memory SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 16 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 2,000
Rulo cuốn: 2,000

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 16 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 2,000
Rulo cuốn: 2,000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
Alliance Memory SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 2,000
Rulo cuốn: 2,000

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 2,000
Rulo cuốn: 2,000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-44 Reel