AT28C256-25DM/883

Microchip / Microsemi
556-28C256-25DM/883
AT28C256-25DM/883

Nsx:

Mô tả:
EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS 883C
Xem trong Bộ chọn Công cụ phát triển

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Microchip / Microsemi AT28C256-25DM/883
Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.

Có hàng: 16

Tồn kho:
16 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
23 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$252.39 $252.39
$242.92 $6,801.76
112 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Microchip
Danh mục Sản phẩm: EEPROM
Hạn chế Vận chuyển
 Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.
RoHS:  
256 kbit
Parallel
32 k x 8
CDIP-28
150 ns
4.5 V
5.5 V
Through Hole
10 Year
- 55 C
+ 125 C
AT28C256
Tube
Dòng hoạt động đọc được - Tối đa: 50 mA
Nhãn hiệu: Microchip / Microsemi
Nhạy với độ ẩm: Yes
Dòng cấp nguồn vận hành: 50 mA
Điện áp cấp vận hành: 2.7 V, 3.6 V
Thời gian truy cập bật đầu ra: 100 ns
Loại sản phẩm: EEPROM
Số lượng Kiện Gốc: 14
Danh mục phụ: Memory & Data Storage
Dòng cấp nguồn - Tối đa: 50 mA
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

DTS

EOL

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
JPHTS:
8542320393
TARIC:
8542327500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A001.a.2.c

AT28C256 256K EEPROM Memory

Microchip AT28C256 256K EEPROM Memory devices are high-performance, Electrically Erasable, and Programmable Read-only Memory (EEPROM). The EEPROM 256K of memory is organized as 32,768 words by 8-bits. These devices are manufactured with Atmel's advanced non-volatile CMOS technology, offering 150ns access time with 440mW power dissipation. The AT28C256 memory devices are accessed like static RAM for reading or writing cycles without needing external components. These AT28C256 devices contain a 64-byte page register to allow writing up to 64 bytes. The EEPROM devices utilize an internal error correction for extended endurance and improved data retention. 

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.