NTH4L075N065SC1

onsemi
863-NTH4L075N065SC1
NTH4L075N065SC1

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về onsemi NTH4L075N065SC1

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
38 A
85 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
148 W
Enhancement
EliteSiC
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 7 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 9 S
Đóng gói: Tube
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 12 ns
Sê-ri: NTH4L075N065SC1
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Transistors
Cực tính transistor: N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 20 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 10 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

PCN

Mã Tuân Thủ
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Phân loại nguồn gốc
Quốc gia xuất xứ:
Trung Quốc
Quốc gia lắp ráp:
Trung Quốc
Quốc gia phân phối:
Hàn Quốc
Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

NTH4L075N065SC1 57mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTH4L075N065SC1 57mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a TO-247-4L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTH4L075N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Có hàng: 776

Tồn kho:
776 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
53 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 776 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$9.26 $9.26
$6.23 $62.30
$5.70 $684.00

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.