STP65N045M9

STMicroelectronics
511-STP65N045M9
STP65N045M9

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STP65N045M9

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
45 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Loại sản phẩm: MOSFETs
Sê-ri: MDmesh M9
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

Mã Tuân Thủ
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Phân loại nguồn gốc
Quốc gia xuất xứ:
Ý
Quốc gia lắp ráp:
Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:
Không Có sẵn
Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

STP65N045M9 MDmesh M9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9 Power MOSFET is designed for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The device implements innovative super-junction MDmesh M9 technology offering a multi-drain manufacturing process that allows for an enhanced device structure.

Có hàng: 510

Tồn kho:
510 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$8.81 $8.81
$4.80 $48.00
$4.42 $442.00
$4.12 $2,060.00
$4.07 $8,140.00

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.