Kết quả: 11
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Bảng dữ liệu
933Có hàng
1,000Dự kiến 15/10/2026
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Bảng dữ liệu
3,134Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Bảng dữ liệu
458Có hàng
1,000Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Bảng dữ liệu
359Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Bảng dữ liệu
1,651Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Bảng dữ liệu
310Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Bảng dữ liệu
1,968Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Bảng dữ liệu
614Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Bảng dữ liệu
1,247Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Bảng dữ liệu
5,604Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Bảng dữ liệu
41Có hàng
2,000Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement