Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Kết quả: 49
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Thương hiệu
Công nghệ
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Bảng dữ liệu
1,865Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Bảng dữ liệu
1,195Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220
Bảng dữ liệu
719Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Bảng dữ liệu
241Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
Bảng dữ liệu
560Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Bảng dữ liệu
2,652Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220
Bảng dữ liệu
845Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
Bảng dữ liệu
1,659Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Bảng dữ liệu
3,754Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 4,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Bảng dữ liệu
2,446Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220
Bảng dữ liệu
1,763Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Bảng dữ liệu
1,475Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 4,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT
Bảng dữ liệu
1,189Dự kiến 18/09/2026
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,500

SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 5,000
Nhiều: 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.8 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 3,000
Nhiều: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 14.6 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 1,200
Nhiều: 600

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 2,000
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 3,000
Nhiều: 3,000
: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 3,000
Nhiều: 3,000
: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 2,000
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 3,000
Nhiều: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 3,000
Nhiều: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 3,000
Nhiều: 3,000
: 3,000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 3,000
Nhiều: 3,000
: 3,000

700 V SuperGaN GaN