GAN041-650WSBQ

Nexperia
771-GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

Nsx:

Mô tả:
GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Nexperia GAN041-650WSBQ

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Nexperia
Danh mục Sản phẩm: FET GaN
RoHS:  
Through Hole
SOT-429-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47.2 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
GaN
Nhãn hiệu: Nexperia
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 10 ns
Đóng gói: Reel
Đóng gói: Cut Tape
Loại sản phẩm: GaN FETs
Thời gian tăng: 10 ns
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Transistors
Mã Bí danh: 934661752127
Đơn vị Khối lượng: 123 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Application Notes

PCN

Mã Tuân Thủ
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Phân loại nguồn gốc
Quốc gia xuất xứ:
Philippines
Quốc gia lắp ráp:
Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:
Không Có sẵn
Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

FET Gali Nitrit (GaN) GAN041-650WSB

FET Gall Nitrit (GaN) GAN041-650WSB của Nexperia có điện áp cực máng-cực nguồn 650V, định mức dòng cực máng 47,2A và điện trở tối đa 41mΩ. GAN041 nằm trong gói TO-247 và là thiết bị thường tắt kết hợp công nghệ GaN HEMT H2 điện áp cao và công nghệ MOSFET silicon điện áp thấp. Sự kết hợp của các công nghệ này mang lại độ tin cậy và hiệu suất siêu cao. FET GaN GAN041-650WSB của Nexperia phù hợp với PFC đẩy-kéo không có cầu nối, bộ truyền động servo và bộ chuyển đổi chuyển mạch mềm và cứng cho nguồn điện công nghiệp và truyền dữ liệu.

GaN FETs for Industrial Applications

Nexperia GaN FETs for Industrial Applications offer efficient power use and efficiencies in power conversion and control. For some applications, power conversion efficiency and power density are critical for market adoption. Prime examples include high-voltage communications and industrial infrastructure sectors. GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system costs.

Có hàng: 172

Tồn kho:
172 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
4 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$11.97 $11.97
$8.78 $87.80
$7.50 $750.00
$7.47 $3,735.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 30)
$8.78 $263.40
5,000 Báo giá

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.