Kết quả: 25
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Thương hiệu
Đóng gói
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
1,404Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
260Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 255 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Bảng dữ liệu
2,771Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
Bảng dữ liệu
389Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.7 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
187Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 150 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
569Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 63 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
2,604Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 252 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
1,015Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
1,095Có hàng
2,160Dự kiến 08/09/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
180Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 81 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 200 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Bảng dữ liệu
1,925Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.2 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3.9 V 13 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 7.3A TO220-3
Bảng dữ liệu
205Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO220-3
Bảng dữ liệu
131Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24.3 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 104.9 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
522Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 34.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
974Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
Bảng dữ liệu
849Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
320Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 66 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
Bảng dữ liệu
533Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Bảng dữ liệu
858Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Bảng dữ liệu
38Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 32 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
79Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 21 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
2,605Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 32 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 170 nC - 55 C + 150 C 284 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 11 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 560V 21A I2PAK-3
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 10 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 43 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube