18 bit Bán dẫn

Các loại Bộ Bán Dẫn

Thay đổi chế độ xem danh mục
Kết quả: 87
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS
Texas Instruments FIFO 2048 x 18 Synch FIFO Memory Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 160
Nhiều: 160

Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Renesas Electronics FIFO 256x18 3.3V SYNC FIFO Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 270
Nhiều: 90

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Renesas Electronics FIFO 1Mx9 / 512Kx18 FIFO 2.5V TERASYNC Thời gian sản xuất của nhà máy: 18 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Không
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 50
Nhiều: 1
Không
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 50
Nhiều: 1
Không
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA Không Lưu kho
Tối thiểu: 104
Nhiều: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA Không Lưu kho
Tối thiểu: 104
Nhiều: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 52 Tuần
Tối thiểu: 104
Nhiều: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 52 Tuần
Tối thiểu: 104
Nhiều: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA Không Lưu kho
Tối thiểu: 104
Nhiều: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 52 Tuần
Tối thiểu: 104
Nhiều: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 52 Tuần
Tối thiểu: 104
Nhiều: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA Không Lưu kho
Tối thiểu: 104
Nhiều: 104

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp Không Lưu kho
Tối thiểu: 119
Nhiều: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp Không Lưu kho
Tối thiểu: 119
Nhiều: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS Không Lưu kho
Tối thiểu: 119
Nhiều: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS Không Lưu kho
Tối thiểu: 119
Nhiều: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS Không Lưu kho
Tối thiểu: 119
Nhiều: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp Không Lưu kho
Tối thiểu: 119
Nhiều: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp Không Lưu kho
Tối thiểu: 119
Nhiều: 119