CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V Silicon Carbide (SiC) G2 MOSFETs are offered in a TO-247PLUS-4 reflow package. These Infineon MOSFETs are ideal for high-output power applications such as Electric Vehicle (EV) charging, Battery Energy Storage Systems (BESS), Commercial / Construction / Agricultural Vehicles (CAV), and more. The CoolSiC™ MOSFET G2 1400V technology is a cutting-edge technology offering improved thermal performance, increased power density, and enhanced reliability. The package features reflow capability (3x reflow soldering possible), enabling lower thermal resistance.

Kết quả: 11
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Thương hiệu
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Bảng dữ liệu
168Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Bảng dữ liệu
152Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Bảng dữ liệu
342Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Bảng dữ liệu
126Có hàng
240Dự kiến 08/10/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Bảng dữ liệu
118Có hàng
480Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Bảng dữ liệu
565Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Bảng dữ liệu
190Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Bảng dữ liệu
224Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Bảng dữ liệu
177Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Bảng dữ liệu
230Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC DISCRETE
Bảng dữ liệu
220Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

CoolSiC