CoolGaN™ Drive HB 600V G5 Switches

Infineon Technologies CoolGaN™ Drive HB 600V G5 Switches integrate a half-bridge power stage featuring two 600V enhancement-mode CoolGaN switches with on-resistance options of 140mΩ, 270mΩ, or 500mΩ. These switches include built-in gate drivers and come in a compact 6mm × 8mm TFLGA-27 package. Designed for low-/medium-power applications, these switches are ideal for high-density motor drives and switch-mode power supplies (SMPS), leveraging the superior switching performance of CoolGaN technology. Infineon’s CoolGaN switches feature a robust gate structure that ensures minimal on-resistance when driven by a continuous gate current of just a few milliamps in the “on” state.

Kết quả: 4
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Thương hiệu
Công nghệ
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Drive HB 600 V G5
Bảng dữ liệu
2,388Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 3,000
SMD/SMT TFLGA-27 - 40 C + 150 C CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
Bảng dữ liệu
2,646Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 3,000

SMD/SMT TFLGA-27 170 mOhms - 40 C + 150 C CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FETs 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
Bảng dữ liệu
2,649Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 3,000

SMD/SMT TFLGA-27 170 mOhms - 40 C + 150 C CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FETs 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
Bảng dữ liệu
2,345Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 3,000

SMD/SMT TFLGA-27 170 mOhms - 40 C + 150 C CoolGaN GaN