NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

onsemi NXH011F120M3F2 EliteSiC SiC MOSFET Modules is equipped with an 11mΩ/1200V SiC M3S MOSFET full-bridge configuration. The modules integrate a thermistor and an HPS DBC in an F2 package, enabling compact, high-efficiency power-conversion designs. The onsemi NXH011F120M3F2 offers two types of pre-applied thermal interface material and one without pre-applied TIM. The modules also feature press-fit pins and Pb-free, halide-free, and RoHS-compliant construction for power module integration.

Kết quả: 6
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ Kiểu gắn Cực tính transistor Số lượng kênh Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn Id - Dòng cực máng liên tục Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Pd - Tiêu tán nguồn Đóng gói
onsemi MOSFET Modules 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package 28Có hàng
$76.74
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 3
SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 77 A 19 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 198 W Tray
onsemi MOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package
20Dự kiến 24/11/2026
$151.82
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 2
SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 244 W Tray
onsemi MOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package
20Dự kiến 24/11/2026
$132.90
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 2
SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 91 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 272 W Tray
onsemi MOSFET Modules EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28Dự kiến 16/02/2027
$72.70
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 3
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 333 W Tray
onsemi MOSFET Modules EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28Dự kiến 16/02/2027
$82.91
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 3
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 240 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 500 W Tray
onsemi MOSFET Modules EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28Dự kiến 16/02/2027
$80.27
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 3
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W Tray