Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

QPA2212D

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

772-QPA2212D

Số nhà sản xuất:

QPA2212D

Nsx:

Qorvo

Mô tả:

RF Amplifier 27-31GHz 25W GaN POWER AMP

Bảng dữ liệu:

QPA2212D Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Qorvo QPA2212D

Cảnh báo Vận chuyển:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Qorvo
Danh mục Sản phẩm:	Bộ khuếch đại RF
Hạn chế Vận chuyển	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:
Tần số vận hành:	27.5 GHz to 31 GHz
Điện áp cấp vận hành:	22 V
Dòng cấp nguồn vận hành:	460 mA
Độ khuếch đại:	21.7 dB
Loại:	Power Amplifiers
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	Die
Công nghệ:	GaN SiC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Sê-ri:	QPA2212D
Đóng gói:	Gel Pack
Nhãn hiệu:	Qorvo
Bộ công cụ phát triển:	QPA2212D EVB
Suy hao trở lại đầu vào:	29 dB
Pd - Tiêu tán nguồn:	80.3 W
Loại sản phẩm:	RF Amplifier
Số lượng Kiện Gốc:	10
Danh mục phụ:	Wireless & RF Integrated Circuits

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

QPA2212D Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

Mã Tuân Thủ

CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 3A001.b.2.c

Phân loại nguồn gốc

Quốc gia xuất xứ:: Hoa Kỳ
Quốc gia lắp ráp:: Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:: Không Có sẵn

Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

QPA2212D Ka-Band GaN Power Amplifier

Qorvo QPA2212D Ka-Band GaN Power Amplifier is fabricated using a 0.15µm Gallium Nitride on Silicon Carbide (GaN on SiC) process (QGaN15). Operating between 27GHz and 31GHz, the QPA2212D achieves 10W linear power with -25dBc intermodulation distortion and 22dB small-signal gain. Saturated output power is 25W with a power-added efficiency of 25%.