Vui lòng xác nhận lựa chọn đơn vị tiền tệ của bạn:
Đô-la Mỹ Incoterms:FCA (Điểm vận chuyển) thuế quan, phí hải quan và thuế được thu tại thời điểm giao hàng. Vận chuyển miễn phí với hầu hết các đơn hàng qua $150 (USD)
Hình ảnh chỉ để tham khảo Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
Chia sẻ điều này
Không thể tạo ra liên kết tại thời điểm này. Vui lòng thử lại.
UF3C SiC FETs in D2-PAK Package
onsemi UF3C SiC FETs in D2-PAK-3L and D2-PAK-7L surface-mount packages are based on a unique cascode circuit configuration and feature excellent reverse recovery. In the cascode circuit configuration, a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. These onsemi SiC FETs offer low body diode, low gate charge, and a 4.8V threshold voltage that allows 0V to 15V drive. These D2-PAK SiC FET devices are ESD protected and provide package creepage and clearance distance of >6.1mm. The standard gate-drive characteristics of the FETs are drop-in replacements for Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si superjunction. They are available in 1200V and 650V drain-source breakdown voltage variants and are ideal for use in any controlled environment such as telecom and server power, industrial power supplies, motor drives, and induction heating.
