Transistor GaN nguồn RF Airfast A5Gx

Transistor GaN nguồn RF Airfast A5Gx của NXP Semiconduction  là các bóng bán dẫn GaN nguồn Doherty RF bất đối xứng 85 W và 112 W. Transistor NXP Semiconducate  A5Gx phù hợp với các trạm cơ sở sóng điện thoại cần băng tần rộng. Hiệu suất của thiết bị được đảm bảo trong phạm vi tần số quy định cho mỗi phụ tùng, nhưng không phải bên ngoài.

Kết quả: 6
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Bảng dữ liệu
35Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 250


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Bảng dữ liệu
65Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Bảng dữ liệu
5Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Bảng dữ liệu
2Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Bảng dữ liệu
208Dự kiến 13/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 53 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C