Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

GP2T030A170H

Name: SemiQ GP2T030A170H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T030A170H
Price: 30.21 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

148-GP2T030A170H

Số nhà sản xuất:

GP2T030A170H

Nsx:

SemiQ

Mô tả:

SiC MOSFETs SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

GP2T030A170H Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về SemiQ GP2T030A170H

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	SemiQ
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-4
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.7 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	83 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	36 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.7 V
Qg - Điện tích cực cổng:	233 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	564 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	SemiQ
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	21 ns
Đóng gói:	Tube
Sản phẩm:	SiC MOSFETS
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	8 ns
Sê-ri:	GP2T
Số lượng Kiện Gốc:	30
Danh mục phụ:	Transistors
Cực tính transistor:	N-Channel
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	48 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	19 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

GP2T030A170H Bảng dữ liệu (PDF)

Mã Tuân Thủ

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Phân loại nguồn gốc

Quốc gia xuất xứ:: Philippines
Quốc gia lắp ráp:: Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:: Không Có sẵn

Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET

SemiQ GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET is engineered for medium-voltage high-power conversion applications, enabling more compact system designs at a large scale with lower system costs and higher power densities. This high-speed, switching planar D-MOSFET offers a reliable body diode that operates up to +175°C. The module is tested beyond 1900V and UIL avalanche tested to 600mJ. The series delivers low switching and conduction losses and low capacitance. The 1700V device also features a rugged gate oxide for long-term reliability and undergoes wafer-level burn-in (WLBI) to screen out potentially weak oxide devices. SemiQ GP2T030A170 QSiC 1700V SiC MOSFET is a four-pin TO-247-4L-packaged discrete with drain, source, driver source, and gate pins. Applications include solar inverters, electric vehicle (EV) charging stations, and motor drives.