NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a part of the 1700V M1 planar SiC MOSFET family optimized for fast switching applications. This MOSFET features a maximum 76mΩ @ 20V maximum RDS(ON), 1700V drain-to-source voltage, 50A continuous drain current, and ultra-low gate charge (typical QG(tot) = 107nC). The NVBG050N170M1 SiC MOSFET operates at low effective output capacitance (typical Coss = 97pF) and -15V/+25V gate-to-source voltage. This SiC MOSFET is 100% avalanche tested and is available in a D2PAK-7L package. The NVBG050N170M1 SiC MOSFET is Pb-free 2LI, Halide-free, and RoHS compliant with exemption 7a. Typical applications include a flyback converters, an automotive DC-DC converters for EVs/HEVs, and an automotive On Board Chargers (OBCs).

Không Tìm thấy Kết quả.
Thử sửa cụm tìm kiếm bên dưới hoặc truy cập Trung tâm trợ giúp của chúng tôi.

Đề xuất tìm kiếm

  • Kiểm tra chính tả mã phụ tùng và từ khóa
  • Sử ít từ khóa hoặc từ khóa khác
  • Tìm 1 mã Phụ tùng một lúc
  • Sử dụng 1 bộ lọc một lúc

Sản phẩm & nhà sản xuất

Các câu hỏi bổ sung?