ADPA1116 GaN Power Amplifiers

Analog Devices ADPA1116 GaN Power Amplifiers feature a 39.5dBm saturated output power (POUT) power added efficiency (PAE) of 40% and a power gain of 23.5dB typical from 0.5GHz to 5GHz at an input power (PIN) of 16.0dBm. The RF input and output are internally matched and AC-coupled. A drain bias voltage of 28V is applied to the VDD1 and VDD2 pins, which have integrated bias inductors. The drain current is set using a negative voltage to the VGG1 pin. The ADPA1116 is manufactured using a gallium nitride (GaN) process and is available in a 32-lead chip scale package. The ADI ADPA1116 amps are specified for operation from -40°C to +85°C.

Không Tìm thấy Kết quả.
Thử sửa cụm tìm kiếm bên dưới hoặc truy cập Trung tâm trợ giúp của chúng tôi.

Đề xuất tìm kiếm

  • Kiểm tra chính tả mã phụ tùng và từ khóa
  • Sử ít từ khóa hoặc từ khóa khác
  • Tìm 1 mã Phụ tùng một lúc
  • Sử dụng 1 bộ lọc một lúc

Sản phẩm & nhà sản xuất

Các câu hỏi bổ sung?