Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

CGHV96100F2

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

941-CGHV96100F2

Số nhà sản xuất:

CGHV96100F2

Nsx:

MACOM

Mô tả:

GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt

Bảng dữ liệu:

CGHV96100F2 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về MACOM CGHV96100F2

Cảnh báo Vận chuyển:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	MACOM
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
Hạn chế Vận chuyển	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:
Kiểu gắn:	Screw Mount
Đóng gói / Vỏ bọc:	440210
Cực tính transistor:	N-Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	100 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	12 A
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	- 3 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Nhãn hiệu:	MACOM
Cấu hình:	Single
Bộ công cụ phát triển:	CGHV96100F2-TB
Độ khuếch đại:	12.4 dB
Tần số làm việc tối đa:	9.6 GHz
Tần số làm việc tối thiểu:	7.9 GHz
Công suất đầu ra:	131 W
Đóng gói:	Tray
Sản phẩm:	GaN HEMTs
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Số lượng Kiện Gốc:	10
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN
Loại transistor:	GaN HEMT
Vgs - Điện áp đánh thủng cực cổng-cực nguồn:	- 10 V to 2 V
Đơn vị Khối lượng:	65.235 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

CGHV96100F2 Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

Mã Tuân Thủ

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

Phân loại nguồn gốc

Quốc gia xuất xứ:: Hoa Kỳ
Quốc gia lắp ráp:: Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:: Không Có sẵn

Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

CGHV96100F2 GaN HEMT

MACOM CGHV96100F2 Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on silicon carbide (SiC) substrate is an internally matched (IM) FET that offers excellent power-added efficiency compared to other technologies. GaN provides superior properties to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, saturated electron drift velocity, and thermal conductivity. These CGHV96100F2 GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths than GaAs transistors. This MACOM IM FET is available in a metal/ceramic flanged package for optimal electrical and thermal performance.

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.