SISD5300DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SISD5300DN-T1-GE3
SISD5300DN-T1-GE3

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 62A

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Vishay / Siliconix SISD5300DN-T1-GE3

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK 1212-F-8
N-Channel
1 Channel
30 V
198 A
870 uOhms
- 12 V, 16 V
2 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: Vishay / Siliconix
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 15 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 162 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 90 ns
Sê-ri: SISD
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 32 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 26 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

Mã Tuân Thủ
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Phân loại nguồn gốc
Quốc gia xuất xứ:
Đài Loan
Quốc gia lắp ráp:
Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:
Không Có sẵn
Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.

SiSD5300DN 30V N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiSD5300DN 30V N-Channel MOSFET is a TrenchFET® Gen V power MOSFET utilizing source flip technology that enhances thermal performance. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, SiSD5300DN features a very low drain-source resistance and gate charge figure of merit (FOM). Applications include DC/DC converters, synchronous rectification, battery management, O-rings, and load switches.

Có hàng: 4,383

Tồn kho:
4,383 Có thể Giao hàng Ngay
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$2.57 $2.57
$1.65 $16.50
$1.13 $113.00
$0.901 $450.50
$0.829 $829.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.782 $2,346.00

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.