1200V C4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V C4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in hard-switched applications. The C4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, thereby expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The C4MS family provides improved Eon, ERR, and Eoff losses compared to the C3M family of devices, while maintaining a low RDS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of both hard-switched and soft-switched topologies.

Kết quả: 16
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Bảng dữ liệu
330Dự kiến 12/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,36mO,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 31/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 340 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,25mO,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 23/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Bảng dữ liệu
450Dự kiến 23/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,25mO,1200V, TSC (U2), Industrial
Bảng dữ liệu
800Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 455 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 36mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Bảng dữ liệu
450Dự kiến 23/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 36mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Bảng dữ liệu
450Dự kiến 23/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,36mO,1200V, TSC (U2), Industrial
Bảng dữ liệu
800Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 357 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,47mO,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 23/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 280 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 47mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Bảng dữ liệu
450Dự kiến 23/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 47mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Bảng dữ liệu
450Dự kiến 23/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,47mO,1200V, TSC (U2), Industrial
Bảng dữ liệu
800Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,65mO,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 23/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 211 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,65mO,1200V, TSC (U2), Industrial
Bảng dữ liệu
800Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 42 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 215 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 65mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Bảng dữ liệu
330Dự kiến 12/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 65mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Bảng dữ liệu
450Dự kiến 23/11/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement