NTH4L028N170M1

onsemi
863-NTH4L028N170M1
NTH4L028N170M1

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L

Tuổi thọ:
NRND:
Không khuyến khích cho thiết kế mới.
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về onsemi NTH4L028N170M1

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.7 kV
81 A
40 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
200 nC
- 55 C
+ 175 C
535 W
Enhancement
EliteSiC
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 13 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 31 S
Đóng gói: Tube
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 18 ns
Sê-ri: NTH4L028N170M1
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Transistors
Cực tính transistor: N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 121 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 47 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Mã Tuân Thủ
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Phân loại nguồn gốc
Quốc gia xuất xứ:
Trung Quốc
Quốc gia lắp ráp:
Trung Quốc
Quốc gia phân phối:
Hàn Quốc
Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

MOSFET EliteSiC 1.700 V NTH4L028N170M1

NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET của onsemi cho hiệu năng đáng tin cậy, hiệu quả cao dành cho các ứng dụng điều khiển công nghiệp và cơ sở hạ tầng năng lượng. MOSFET EliteSiC của onsemi có công nghệ phẳng hoạt động đáng tin cậy với các bộ điều khiển điện áp cổng âm và ngắt khi điện áp tăng vọt trên cổng. Thiết bị này có hiệu suất tối ưu khi được điều khiển bằng trình điều khiển cổng 20 V nhưng cũng hoạt động tốt với trình điều khiển cổng 18 V.

Có hàng: 772

Tồn kho:
772 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
52 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1   Tối đa: 30
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$38.85 $38.85
$28.74 $287.40

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.