MOSFET Silicon cacbua thế hệ thứ 3

MOSFET Silicon cacbua thế hệ thứ 3 của Toshiba được thiết kế cho các ứng dụng công nghiệp công suất cao như nguồn cấp AC-DC đầu vào AC 400V. Các ứng dụng khác bao gồm bộ biến tần quang điện (PV) và bộ chuyển đổi DC-DC hai chiều cho bộ cấp nguồn liên tục (UPS). Các MOSFET này góp phần giảm tiêu thụ điện năng và cải thiện mật độ nguồn. Điều này là do công nghệ SiC cho phép thiết bị cung cấp điện áp cao hơn, chuyển mạch nhanh hơn và điện trở khi bật thấp hơn. Thiết kế chip thế hệ thứ ba của Toshiba cung cấp độ tin cậy tăng cường ngoài điện dung đầu vào (CISS) 4850pF (Điển hình), điện tích đầu vào cổng (Qg) 128nC (Điển hình) và điện trở trên nguồn (RDS(BẬT)) chỉ 15mΩ hoặc 30mΩ (Điển hình).

Kết quả: 24
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Bảng dữ liệu
2,500Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Bảng dữ liệu
2,480Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Bảng dữ liệu
2,493Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
Bảng dữ liệu
2,500Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Bảng dữ liệu
142Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
Bảng dữ liệu
23Có hàng
30Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
Bảng dữ liệu
20Có hàng
60Dự kiến 16/10/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
Bảng dữ liệu
32Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
Bảng dữ liệu
52Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
Bảng dữ liệu
36Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
Bảng dữ liệu
40Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
Bảng dữ liệu
61Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
Bảng dữ liệu
199Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
Bảng dữ liệu
30Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Bảng dữ liệu
31Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
Bảng dữ liệu
43Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
Bảng dữ liệu
2Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
Bảng dữ liệu
67Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
Bảng dữ liệu
111Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
Bảng dữ liệu
15Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
Bảng dữ liệu
25Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
Bảng dữ liệu
150Dự kiến 14/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 25 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement