MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs
NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 VSWR, a 50VDC, 230MHz at all phase angles.
Không Tìm thấy Kết quả.
Thử sửa cụm tìm kiếm bên dưới hoặc truy cập Trung tâm trợ giúp của chúng tôi.
Thử sửa cụm tìm kiếm bên dưới hoặc truy cập Trung tâm trợ giúp của chúng tôi.
Đề xuất tìm kiếm
- Kiểm tra chính tả mã phụ tùng và từ khóa
- Sử ít từ khóa hoặc từ khóa khác
- Tìm 1 mã Phụ tùng một lúc
- Sử dụng 1 bộ lọc một lúc