NTMFS0D7N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS0D7N04XMT1G
NTMFS0D7N04XMT1G

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về onsemi NTMFS0D7N04XMT1G

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
323 A
700 uOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
72.1 nC
- 55 C
+ 175 C
134 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 6.32 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 244
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 8.12 ns
Sê-ri: NTMFS0D7N04XM
Số lượng Kiện Gốc: 1500
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 39.1 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 25.8 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

PCN

Mã Tuân Thủ
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Phân loại nguồn gốc
Quốc gia xuất xứ:
Malaysia
Quốc gia lắp ráp:
Malaysia
Quốc gia phân phối:
Nhật Bản
Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

Công nghệ PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTMFS0D7N04XM Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS0D7N04XM Single N-Channel Power MOSFET is a standard 40V gate level power MOSFET with leading on-resistance for motor driver applications. The lower on-resistance and gate charge can reduce conduction and driving losses. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without an extra snubber circuit in an application.

Có hàng: 724

Tồn kho:
724
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
7,500
Dự kiến 12/02/2027
12,000
4,500
Dự kiến 05/03/2027
7,500
Dự kiến 13/10/2027
Thời gian sản xuất của nhà máy:
50
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$2.80 $2.80
$1.80 $18.00
$1.25 $125.00
$1.02 $510.00
$0.85 $850.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1500)
$0.85 $1,275.00

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.