3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Navitas Semiconductor 3300V and 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are based on the latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology and feature flexible packaging formats, including power module, discrete, and known good die (KGD). For high-power density and high-reliability systems, the MOSFETs are integrated into an advanced SiCPAK™ G+ power module package, in half-bridge and full-bridge circuit configurations. The proprietary TAP SiC MOSFET technology offers improved performance, reliability, and avalanche robustness. The TAP architecture performs a multi-step e-field management profile to significantly reduce voltage stress and improve voltage blocking capabilities compared to trench and traditional-planar SiC MOSFETs. Navitas 3300V and 2300V SiC MOSFETs are ideal for AI data centers, grid and energy infrastructure, and industrial electrification, including energy storage, renewable, and megawatt-scale fast-charging applications.

Kết quả: 8
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Đóng gói / Vỏ bọc
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
$331.64
Tối thiểu: 48
Nhiều: 48
2.3 kV 296 A N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
$339.64
Tối thiểu: 48
Nhiều: 48
2.3 kV N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
$480.88
Tối thiểu: 48
Nhiều: 48
SiCPAK G+ 2.3 kV 8 mOhms - 55 C + 150 C N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
$488.88
Tối thiểu: 48
Nhiều: 48
2.3 kV 8 mOhms - 55 C + 150 C N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
$334.52
Tối thiểu: 48
Nhiều: 48
2.3 kV N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4-T
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
$342.52
Tối thiểu: 48
Nhiều: 48
2.3 kV N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
$464.62
Tối thiểu: 48
Nhiều: 48
3.3 kV N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4-T
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
$472.62
Tối thiểu: 48
Nhiều: 48
3.3 kV N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray