SRAM for Data Acquisition

Home » Applications & Technologies » Instrumentation » Data Acquisition » SRAM

SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

Kết quả: 488
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kích thước bộ nhớ
Tổ chức
Thời gian truy cập
Tần số đồng hồ tối đa
Loại giao diện
Điện áp cấp nguồn - Tối đa
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu
Dòng cấp nguồn - Tối đa
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Đóng gói
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 7.5ns Sync SRAM 3.3v
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.35 V 3.25 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

4 Mbit 3.1 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

2 Mbit 64 k x 32 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray

ISSI SRAM 4Mb 256Kx16 25ns 2.4-3.6V Async SRAM
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

4 Mbit 256 k x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

2 Mbit 64 k x 36 8.5 ns 90 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v-3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI IS62WV6416FBLL-45TLI
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

1 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 24 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 18 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

128 Mbit 16 M x 8 5 ns 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24