Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

D1621XM4CDGVIW-U

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

524-D1621XM4CDGVIW-U

Số nhà sản xuất:

D1621XM4CDGVIW-U

Nsx:

Kingston

Mô tả:

DRAM 16Gb LPDDR4x 4266Mbps BGA 200b SDPx32 i-Temp

Tuổi thọ:

Xác nhận Tình trạng với Nhà máy:

Thông tin tuổi thọ không rõ ràng. Nhận báo giá để kiểm tra số lượng sẵn có của mã phụ tùng này từ nhà sản xuất.

Bảng dữ liệu:

D1621XM4CDGVIW-U Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Kingston D1621XM4CDGVIW-U

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Kingston
Danh mục Sản phẩm:	DRAM
RoHS:
Loại:	SDRAM - LPDDR4X
Kích thước bộ nhớ:	16 Gb
Độ rộng bus dữ liệu:	16 bit
Tần số đồng hồ tối đa:	2.133 GHz
Đóng gói / Vỏ bọc:	BGA-200
Tổ chức:	1 G x 16
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	1.7 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	1.95 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 95 C
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	Kingston
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Loại sản phẩm:	DRAM
Số lượng Kiện Gốc:	1
Danh mục phụ:	Memory & Data Storage

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

D1621XM4CDGVIW-U Bảng dữ liệu (PDF)

Mã Tuân Thủ

USHTS:: 8542320036
ECCN:: EAR99

Phân loại nguồn gốc

Quốc gia xuất xứ:: Đài Loan
Quốc gia lắp ráp:: Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:: Không Có sẵn

Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

LPDDR4x Low-Power DRAMs

Kingston LPDDR4x Low-Power DRAMs support data rates up to 4266 Mb/s and maintain backward compatibility with lower speeds such as 3733, 3200, and 2666. These devices offer 16Gb and 32Gb device densities with double-data-rate architecture. The LPDDR4x DRAMs feature per-bank refresh, Partial Array Self-Refresh (PASR), and Auto Temperature Compensated Self-Refresh (ATCSR) power-saving options. These devices include eight internal banks per channel for concurrent operation, Burst Lengths (BL), programmable Read Latency (RL), and Write Latency (WL). The LPDDR4x DRAMs operate with multiple low‑voltages and are available in a 200-ball FBGA package.